КАК ПОДОБРАТЬ ОПЕРАТИВНУЮ ПАМЯТЬ?

Представлены сравнительные характеристики ОЗУ для ноутбука (SODIMM). Параметры оперативной памяти форм-фактора DIMM (для настольного компьютера) соответствуют показанным на примерах принципам. Более полный обзор характеристик здесь.

Как правильно подобрать оперативную память

CL (Тайминги)

CAS Latency, CAS – это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее она работает.

Память для ноутбука: пример обозначения таймингов

Количество ранков, рангов (ranks)

Ранг – это блок данных шириной 64 бита без кода исправления ошибок (ECC дополнительно имеет + 8 бит = 72 Бит), созданный с использованием некоторых или всех микросхем памяти в модуле. Обозначения х4 и x8 указывают на количество банков в компоненте памяти или микросхеме. Именно это количество определяет ранг готового модуля, а не число отдельных микросхем памяти на плате.

Если модуль памяти имеет микросхемы на обеих сторонах платы, его называют двухсторонним. При этом чип также может быть одноранговым, двухранговым или четырехранговым в зависимости от проектировки этих микросхем. 1R, 2R – обозначает ранговость (не путать с одно-, двухсторонним размещением чипов); x4, x8 – обозначает количество банков (не путать с количеством чипов на плате).

Чем больше банков, тем меньше чипов в модуле памяти, тем выше надежность и энергопотребление.

Пример обозначения ранговости на планке памяти для ноутбука

Различия и внешний вид модулей памяти разной ранговости

(на примере SODIMM для ноутбука)

1Rx8 (одноранковая/8-ми банковая, 8-ми чиповая/двухсторонняя)

1Rx16 (одноранковая/16-ти банковая, 4-х чиповая/односторонняя)

2Rx16 (двухранковая/16-ти банковая, 8-ми чиповая/двухсторонняя)

2Rx8 (двухранковая/8-ми банковая, 16-ти чиповая/двухсторонняя)

Напряжение питания

Обозначает напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждая планка рассчитана на определенное значение, поэтому при выборе следует убедиться, что материнская плата поддерживает необходимый показатель.

DDR2 (не радиаторная) – 1.8 В

DDR3 – существует 2 стандарта:

• DDR3, 1.5 В (обычная);
• DDR3L, 1.35 В (пониженная "L").

Примеры обозначения пониженного напряжения на модулях ОЗУ

Объем одного модуля (от 1 до 8 Гб)

Параметр показывает объем памяти одного модуля. Суммарный показатель рассчитывается путем сложения объемов памяти установленных планок. Для работы в интернете и офисных программах достаточно 2 Гб. Для комфортного функционирования графических редакторов, современных игр необходимо минимум 4 Гб оперативной памяти.

Поддержка ECC

Error Checking and Correction – алгоритм, позволяющий не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость.

Пропускная способность

Пропускная способность модуля памяти – количество передаваемой или полученной информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем больше пропускная способность, тем быстрее работает RAM, выше стоимость чипа (при совпадении остальных характеристик).

Тактовая частота

Термин означает максимальную частоту системного генератора по которой синхронизируются процессы приема и передачи данных. Для памяти типа DDR, DDR2 и DDR3 указывается удвоенное значение тактовой частоты, т. к. за один такт производится две операции с данными. Чем выше тактовая частота, тем больше операций совершается за единицу времени, что позволяет более стабильно и быстро работать компьютерным играм, приложениям. При прочих одинаковых характеристиках память с более высокой тактовой частотой стоит дороже.

Поколение ОЗУ

Технология определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. Существует 5 основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.

DDR2 SDRAM – поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.

DDR3 SDRAM – следующее поколение после DDR2 SDRAM, используется та же технология "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2: способность работать на более высокой частоте, меньшее энергопотребление. Конструктивно модули DDR3 обладают "ключами" (специальными пазами для установки планки), которые расположены не так как в DDR2, что делает их несовместимыми. ОЗУ третьего поколения не подойдет для слотов DDR2 и наоборот.

DDR3L и LPDDR3 – стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 – 1.2 В. Для сравнения у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. 

ПРИМЕРЫ СОВМЕСТИМЫХ ПО ГЛАВНЫМ ПАРАМЕТРАМ МОДУЛЕЙ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

Пара оперативной памяти с "идеально" совпадающими параметрами

Допустимое "не идеальное" сочетание плат ОЗУ, подобраны по основным критериям

НЕСОВМЕСТИМЫЕ МЕЖДУ СОБОЙ МОДУЛИ ОПЕРАТИВНОЙ ПАМЯТИ

Платы памяти с совпадающими параметрами, но разным номинальным напряжением.

1.5 В (стандарт) и 1.35 В (DDR3L) НЕСОВМЕСТИМЫ

Платы памяти с совпадающими параметрами, но разными таймингами (латентностью)

Учитывая специфику некоторых материнских плат, в некоторых случаях разные тайминги (например, CL5 (555) и CL6 (666)) НЕСОВМЕСТИМЫ

Платы памяти внешне похожы, но категорически несовместимы по типу и ключам (они не могут быть установлены в одном устройстве).

Разные типы ОЗУ, например, DDR2 и DDR3 НЕСОВМЕСТИМЫ